-
1 hole concentration
-
2 hole concentration
-
3 hole density
-
4 hole concentration
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > hole concentration
-
5 hole density
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > hole density
-
6 hole concentration
English-Russian dictionary of telecommunications and their abbreviations > hole concentration
-
7 hole concentration
English-Russian dictionary of microelectronics > hole concentration
-
8 hole density
English-Russian dictionary of microelectronics > hole density
-
9 hole concentration
English-Russian dictionary of electronics > hole concentration
-
10 hole density
-
11 hole density
1) Техника: плотность дырок2) Нефть: частота расположения скважин3) Микроэлектроника: концентрация дырок4) Автоматика: близость расположения отверстий, плотность расположения отверстий -
12 hole concentration
1) Микроэлектроника: концентрация дырок2) Макаров: концентрация дырки -
13 minority electron density
концентрация неосновных носителей (дырок)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > minority electron density
-
14 minority electron density
1) Техника: концентрация неосновных носителей2) Электротехника: концентрация неосновных носителей (дырок)Универсальный англо-русский словарь > minority electron density
См. также в других словарях:
концентрация дырок — skylių tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole density; hole number density; volumic hole number vok. Löcherdichte, f; Löcherkonzentration, f; Löcherzahldichte, f rus. концентрация дырок, f; плотность дырок, f; плотность числа… … Fizikos terminų žodynas
критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок … Справочник технического переводчика
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — 30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
критическая концентрация дырок проводимости — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны … Политехнический терминологический толковый словарь
концентрация неосновных носителей (дырок) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN minority electron density … Справочник технического переводчика
критическая концентрация дыроа — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны … Политехнический терминологический толковый словарь
плотность дырок — skylių tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole density; hole number density; volumic hole number vok. Löcherdichte, f; Löcherkonzentration, f; Löcherzahldichte, f rus. концентрация дырок, f; плотность дырок, f; плотность числа… … Fizikos terminų žodynas
плотность числа дырок — skylių tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole density; hole number density; volumic hole number vok. Löcherdichte, f; Löcherkonzentration, f; Löcherzahldichte, f rus. концентрация дырок, f; плотность дырок, f; плотность числа… … Fizikos terminų žodynas
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации